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精密刻蝕鍍膜儀
型號:PECS II

PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設備。內置了一個 10 英寸的觸摸屏。不管新手還是專家級用戶,都可提高樣品的加工可控性 及可重復性。數碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph? 軟件,可實現對樣品加工過程的實時 監(jiān)控及儲存彩色照片,這便于在SEM中進行樣品檢查和分析。

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詳細介紹

PECS II精密刻蝕鍍膜儀




儀器簡介:

PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設備。

對于同一個樣品,可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜。

一款完全獨立、結構緊湊的臺式設 備。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進行拋光, 去除損傷層,從而得到高質量樣品,用于在 SEM, 光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

采用 WhisperLok®技術,可選 配溫控液氮冷卻臺。該功能有助于避免拋光過程 中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化。

PECS II精密刻蝕鍍膜儀內置了一個 10 英寸的觸摸屏。不管新手還是專家級用戶,都可提高樣品的加工可控性 及可重復性。數碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph® 軟件,可實現對樣品加工過程的實時 監(jiān)控及儲存彩色照片,這便于在SEM中進行樣品檢查和分析。

性能優(yōu)點:

  • WhisperLok 系統(tǒng): 無需破壞主樣品室真空即可裝卸樣品。
  • 低能聚焦潘寧離子槍可加工對表面損傷敏感的樣品,包括 EBSD和 CL。
  • 能量從0.1 – 8.0 keV可調: 改進低能拋光效果,減少非晶層;提供更高的能量,以提高拋光速度。
  • 液氮樣品冷卻 保護樣品,避免離子束熱損傷,去除可能的假象。
  • 10 英寸觸摸屏控制:快速,簡便地訪問所有的控制參數;無需電腦。
  • 數碼變焦顯微鏡 實時監(jiān)控加工過程。
  • DigitalMicrograph 軟件彩照存儲 將存儲的光學圖像與其他分析系統(tǒng)的數據做關聯分析。
  • 濺射沉積 濺射靶材至樣品表面,防止樣品在 SEM/FIB 中發(fā)生荷電。



主要應用:

  • 半導體
  • 金屬(氧化物,合金)
  • 陶瓷
  • 自然資源

技術規(guī)格:

離子源

離子槍
兩個配有稀土磁鐵的潘寧離子槍
拋光角度
0 到18°,每支離子槍可獨立調節(jié)
離子束能量 (kV)
0.1 – 8.0
離子束流密度峰值(mA/cm2)
10
拋光速率 (µm/h)
90(對于硅試樣)
離子束直徑
可用氣體流量計或放電電壓來調節(jié)
樣品臺

樣品大小(長 × 寬 ×高, mm)
32 × 15
轉速 (rpm)
1 – 6
離子束調制
角度范圍可調的單向調制或雙向調制
樣品觀察
數碼變焦顯微鏡,配有 PC 及 DigitalMicrograph 軟件(選配件)
真空系統(tǒng)

干泵系統(tǒng)
兩級隔膜泵支持 80 L/s的渦輪分子泵
壓力 (torr)

基本壓力 
5 × 10-6
工作壓力
8 × 10-5
真空規(guī)
冷陰極型,用于主樣品室;固體型,用 于 前級機械泵
樣品氣鎖
WhisperLok技術,樣品交換時間小于1 分鐘
用戶界面

10 英寸彩色觸摸屏
操作簡單,且能夠完全控制所有參數和配方式操作
尺寸及使用要求

外形尺寸 (長 × 寬× 高, mm)
575 × 495 × 615
運輸重量(kg)
45
功耗 (W)

運行時 
200
待機時
100
電源要求
通用 100 – 240 VAC,50/60 Hz(用戶指定電壓和頻率)
氬氣(psi)
25


訂貨編號:LR-200636



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